近些年来，新能源汽车逐渐打破人们对它的成见，用其出色的加速性能、静谧连贯的乘驾体验、越来越高的续航里程向消费者证明，新能源汽车才是未来交通出行的趋势。这其中尤其重要的一环来自纯电续航里程的突破。续航里程的提升，一方面靠的是电池容量、电池能量密度等的提升，另一方面是对电路系统中损耗大的器件的优化。
2007年，比亚迪提出其首个IGBT专利申请。2015年，比亚迪IGBT制程工艺攻克了非穿通型（NPT）技术工艺，
2018年推出车规级IGBT4.0技术，该技术在非穿通型基础上，增加了复合场终止层，并进一步减薄了芯片厚度。在
2018年9月公开的一份专利中，比亚迪提出了深沟槽栅的技术方案；
2019年3月、4月公开的两份专利中，提出了场终止层（电场截止）的技术方案。
2020年5月，比亚迪长沙IGBT工厂动工。该工厂投产后可满足年装车50万辆新能源汽车的产能需求，解决新能源汽车电子核心功率器件供应链稳定性和成本问题。比亚迪在IGBT领域技术虽不是最先进的，但专利布局比较完善，且规模效益显现，投产后可用于比亚迪新能源汽车，也可外销。目前，比亚迪也已研发出SiC MOSFET。
预计到2023年，比亚迪将采用SiC半导体全面替代IGBT半导体，这样的话，整车续航性能在现有基础上可以再提升10%。以汉EV为例，现在的纯电续航为605km，采用SiC半导体续航可达665km左右，超过了一般的燃油车续航。此外，由于SiC体积远小于IGBT，车内乘坐空间和行李空间会增大不少。
单模块采用半桥拓扑结构，内部集成两单元 1200V/200A 碳化硅 MOSFET 和碳化硅续流二极管。单模块 200A 的输出电流能力可有效减少逆变器中功率器件数量，降低系统设计难度，提升系统可靠性。基本半导体碳化硅 MOSFET 设计生产工艺在栅极电输入电容、内部寄生电感、热阻等多项参数上达到业内领先水平。
深圳基本半导体有限公司自2017年开始每年都有专利申请，截止2020年11月公开专利31项，一定程度上反映出公司的持续研发能力。
功率半导体国产化替代进程越来越快并且产品力越来越强。消费者很快能享受到新能源汽车续航里程的提升。除了电动汽车，SiC的研发成果还将渗透到轨道交通、电梯、家用电器、电网，从方方面面改善人们生活。前瞻型企业已经加快了SiC基础专利和外围专利的布局。